半导体

半导体制造对气体控制精度与洁净度要求极高。我们的压差式与热式质量流量控制器、残余气体分析仪和集成式气体系统，为 CVD、PVD、刻蚀、离子注入等工艺提供稳定可靠的流量控制与气氛监测，助力先进制程的国产化替代。

半导体制造是当前对气体控制要求最高的工业场景之一。从刻蚀、薄膜沉积到离子注入与腔室清洗，几乎每一步工艺都以气体作为反应介质：刻蚀环节使用含氟气体（Cl₂、SF₆、C₂F₆），沉积环节使用硅烷（SiH₄）、氨气（NH₃）等前驱体，清洗环节使用 NF₃、O₂。质量流量控制器（MFC）处于供气与工艺腔体之间，把每种气体的流量恒定在设定值上，是整条气路稳定性的关键节点。

先进制程对 MFC 的要求已经达到半导体行业 SEMI E51 标准下的 Class A（±0.5%）乃至 Class AA（±0.25%）精度等级。随着节点向 7nm 以下推进，控制精度需要进一步逼近 ±0.1%。流量波动直接改变反应物比例，进而影响薄膜厚度均匀性、刻蚀轮廓与晶圆间一致性；因此 MFC 不仅要准，还要在压力瞬变、温度波动等扰动下保持设定流量稳定。

高纯与洁净是半导体气路的另一条底线。电子特气纯度普遍在 5N 以上，杂质须控制在 ppb 甚至 ppt 级别。MFC 流道须采用全金属密封结构、高纯 316L 不锈钢并做电解抛光（内壁粗糙度 Ra≤0.2μm），避免弹性体密封件释放杂质或渗透氧气；针对 NF₃、SF₆ 等强腐蚀性气体还要选用哈氏合金等耐蚀材质。

安全同样不可妥协。硅烷、磷烷、硼烷等氢化物易燃易爆甚至剧毒，MFC 需要低内漏设计（关闭泄漏量低至满量程的 0.005% 量级）与隔爆型电气结构，配合气瓶柜、泄漏探测与紧急切断阀形成完整的安全链路。在设备侧，数字通信（DeviceNet、EtherCAT、RS-485 等）让 MFC 融入 PLC/MES 数据链，支撑工艺追溯与预测性维护。

海纳围绕这一过程链，提供从质量流量控制、压力调节到残余气体分析的系列部件，以及将阀件、接头、管路集成一体的气体系统解决方案，帮助设备与工艺团队从工艺需求出发反向确认部件选型与接口设计。